DDR内存全称是DDRSDRAM(DoubleDataRateSDRAM，双倍速率SDRAM)。DDRSDRAM早是由三星公司于1996年提出，由日本电气、三菱、富士通、东芝、日立、德州仪器、三星及现代等八家公司协议订立的内存规格，并得到了AMD、VIA与SiS等主要芯片组厂商的支持。它是SDRAM的升级版本，因此也称为SDRAMII。

工作原理：

DDRSDRAM模块部分与SDRAM模块相比，改为采用184针(pin)，4～6层印刷电路板，电气接口则由「LVTTL」改变为「SSTL2」。在其它组件或封装上则与SDRAM模块相同。DDRSDRAM模块一共有184个接脚，且只有一个缺槽，与SDRAM的模块并不兼容。DDRSDRAM在命名原则上也与SDRAM不同。SDRAM的命名是按照时钟频率来命名的，例如PC100与PC133。而DDRSDRAM则是以数据传输量作为命名原则，例如PC1600以及PC2100，单位MB/s。所以DDRSDRAM中的DDR200其实与PC1600是相同的规格，数据传输量为1600MB/s(64bit×100MHz×2÷8=1600MBytes/s)，而DDR266与PC2100也是一样的情形(64bit×133MHz×2÷8=2128MBytes/s)。

DDRSDRAM在规格上按信号延迟时间(CL；CASLatency，CL是指内存在收到讯号后，要等待多少个系统时钟周期后才进行读取的动作。一般而言是越短越好，不过这还要看内存颗粒的原始设定值，否则会造成系统的不稳定)也有所区别。按照电子工程设计发展联合协会（JEDEC）的定义(规格书编号为JESD79)：DDRSDRAM一共有两种CAS延迟，分为2ns以及2.5ns(ns为十亿分之一秒)。较快的CL=2加上PC2100规格的DDRSDRAM称作DDR266A，而较慢的CL=2.5加上PC2100规格的DDRSDRAM则称作DDR266B。另外，较慢的PC1600DDRSDRAM在这方面则是没有特别的编号。

-时钟频率

它代表了内存所能稳定运行的频率。市场上看到的DDR内存有DDR533、DDR667、DDR800和DDR1333等。

-存取时间

存取时间代表了读取数据所延迟的时间。以前人们有个误区，认为它和系统时钟频率有着某种联系，其实二者在本质上是有着显着的区别的，可以说完全是两回事。存取时间和时钟周期一样，越小则越优。

-CAS的延迟时间

这是指纵向地址脉冲的反应时间，也是在一定频率下衡量支持不同规范的内存的重要标志之一。我们用CASLatency(CL)这个指标来衡量。在这里需要友情提醒一下想在近期购买电脑的读者，Intel的处理器相对而言的对延迟时间不敏感，影响Intel处理器性能的主要是内存的时钟频率；而对AMD处理器而言，影响它的主要是CAS延迟时间，因此AMD平台的读者在这个参数上要多多注意。