深圳市扬新通讯设备有限公司

60V N-Ch功率MOSFET

　　高速电源开关，逻辑电平

　　增强体二极管dv/dt能力

　　增强雪崩强度

　　100%的ui测试，100%的Rg测试

　　无铅，无卤素

　　mosfet引脚应用：

　　SMPS同步整流

　　硬开关和高速电路

　　在电信和工业中的DC/DC

　　mosfet引脚封装：

　　jue对zui大额定参数Tj=25℃时(除非另有说明)：

　　连续漏极电流(硅限)：

　　TC=25℃：172

　　TC=100℃：109

　　TC=25℃：85

　　连续漏极电流(封装限制)：60V

　　门源电压：±20V

　　脉冲漏极电流：400

　　雪崩能量，单脉冲：320mj

　　功耗：114w

　　操作和储存温度：-55 ~ 150℃

　　热阻结环境：55℃/W

　　热阻结箱：1.1℃/W

　　电特性Tj=25℃时(除非另有说明)：

　　动态特性：