深圳市扬新通讯设备有限公司

低压mosfet

　　低压mosfet特点：

　　高速电源开关，逻辑电平

　　增强体二极管dv/dt能力

　　增强雪崩强度

　　100%的ui测试，100%的Rg测试

　　无铅，无卤素

　　低压mosfet应用：

　　SMPS同步整流

　　硬开关和高速电路

　　在电信和工业中的DC/DC

　　jue对zui大额定参数Tj=25℃时(除非另有说明)：

　　连续漏极电流(硅限)：

　　TC = 25℃：140

　　TC = 100℃：99

　　TC = 25℃：120

　　连续漏极电流(包装有限)：

　　TC = 25℃：140

　　TC = 100℃：99

　　TC = 25℃：120

　　漏极至源极电压：80V

　　门源电压：±20V

　　脉冲漏极电流：400

　　雪崩能量，单脉冲：80mJ

　　功耗：150 w

　　操作和储存温度：-55 ~ 175℃

　　电特性在Tj=25℃(除非另有说明):

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