非挥发性SRAM

非挥发性SRAM（Non-volatile SRAM，nvSRAM）具有SRAM的标准功能，但在失去电源供电时可以保住其数据。非挥发性SRAM用于网络、航天、医疗等需要关键场合—保住数据是关键的而且不可能用上电池。

异步SRAM

异步SRAM（Asynchronous SRAM）的容量从4 Kb到64 Mb。SRAM的快速访问使得异步SRAM适用于小型的cache很小的嵌入式处理器的主内存，这种处理器广泛用于工业电子设备、测量设备、硬盘、网络设备等等。

根据晶体管类型分类

双极性结型晶体管（用于TTL与ECL）—非常快速但是功耗巨大

MOSFET（用于CMOS）—本文详细介绍的类型，低功耗，现在应用广泛。

根据功能分类

异步—独立的时钟频率，读写受控于地址线与控制使能信号。

同步—所有工作是时钟脉冲边沿开始，地址线、数据线、控制线均与时钟脉冲配合。

根据特性分类

零总线翻转（Zero bus turnaround，ZBT）—SRAM总线从写到读以及从读到写所需要的时钟周期是0

同步突发SRAM（synchronous-burst SRAM，syncBurst SRAM）—

DDR SRAM—同步、单口读/写，双数据率I/O

QDR SRAM（Quad Data Rate (QDR) SRAM）—同步，分开的读/写口，同时读写4个字（word）。

根据触发类型

二进制SRAM

三进制计算机SRAM